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电子元器件详细资料 » IC[27039] » SI4914BDY-T1-GE3
型号:SI4914BDY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
系列LITTLE FOOT®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C8.4A,8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C21 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.7V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs10.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大2.7W,3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市中弘芯科技有限公司曾15973501778
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
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SI4914BDY-T1-GE3相关型号

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